湖北成立300亿集成电路产业投资基金 重点投资芯片制造

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本报记者陈红霞郝驰从武汉和北京报道

随着国家集成电路基金的建立，地方特殊行业基金的建立也在加快。

8月6日，《21世纪经济报道》记者从武汉东湖高新技术开发区(古坝600133)获悉，湖北省成立了由湖北省、武汉市和东湖高新技术开发区财政资金引导的集成电路产业基金，总规模不低于300亿元。其投资重点是集成电路芯片制造，关注设计、封装和测试等上下游产业链。

同时，湖北最大的龙头企业武汉新新集成电路制造有限公司(以下简称“武汉新新”)也透露，公司自主研发的第二代背照式图像传感器已按计划推广。在3d nand技术的研发中，第一个9层结构的存储器测试芯片通过了存储器功能的电验证。

300亿资金促进工业发展

据武汉高新区介绍，湖北集成电路产业投资基金由武汉经济发展投资(集团)有限公司发起，湖北科技投资集团有限公司等多家公司参与，除了三级政府的资金引导外，该基金还吸引了社会资金的参与。

根据规划，基金总规模不低于300亿元，计划建设一个高科技股权基金和金融服务平台，通过设立子基金和专门的金融服务平台，连接国内外资本市场。

“除了湖北，上海已经建立了一个100亿元规模的产业投资基金。整个国家，包括长江三角洲、珠江三角洲和中三角，已经形成了一个三条腿的局面。”一位行业分析师指出，尽管湖北起步较晚，但发展迅速。目前，包括包装、检测、生产和R&D在内的企业均已布局，产业链相对完整。产业基金设立后，省内一些重点企业和重点项目将首先受益。

东湖高新区还透露，该基金将重点支持国家重点项目的发展。目前，基金已储备集成电路领域的20多个大型项目，并正积极与国家集成电路基金、中国发展金融等多家金融机构探讨实质性战略合作。未来，它将通过国内外的并购和资本运营，迅速推动产业发展。

在预期受益的本土企业中，作为“集成电路国家队”的武汉新新最为关注。

据公开信息，武汉新新成立于2006年4月，注册资本24.59亿元，是武汉东湖开发区政府的全资子公司。成立之初，它只是一个没有独立运营能力的生产工厂。

直到2012年，东湖开发区引进了一个新的管理团队来重建武汉新新的结构。现任首席执行官杨士宁负责“重建”。

一位接近该公司的人士指出，特别是在集成电路行业，许多控制设备都依赖进口:“杨思明上任时，武汉新新除了其生产能力外，在人力资源、财务、销售和研发等各个领域都是空白的。”根据国际条约，使用控制进口设备的企业必须确保设备用于民用，而不是用于军事生产。所有控制设备进口商必须有专门人员负责向设备出口国的相关政府部门报告进口许可证，并履行许可协议。不过，即使是这个关键位置，武汉新新当时也是was/きだよ 0

因此，新团队的组建成为杨士宁当时开始的第一件事。武汉新新引进了海外归国人员和一些国际知名行业的外国专家，同时吸收了一批在武汉工作的SMIC骨干人员，组建了武汉新新的初期管理团队。

加快技术追赶的步伐

然而，在这个时候，中国的集成电路产业仍然远远落后于美国和韩国等国际巨头。“在当时的中国市场，一批集成电路企业相继出现。这些企业遍布包装、测试、生产和R&D等领域，初步构成了中国集成电路产业链。”另一位不愿透露姓名的行业分析师也指出。这些企业大多集中在包装和测试过程中，很少有生产和R&D企业，中国芯片制造商的市场份额极低。

中国企业如何实现突破？在此之前，杨士宁在一次产业内介绍会上还总结说，集成电路产业是一个快速发展的产业，其特点是人才、资本和技术密集。

“集成电路产业的发展需要具备上述所有特征。因此，即使中国企业增加在技术研发或其他领域的投资，也永远赶不上国际同行，甚至差距还会扩大。”上述分析人士指出，即使是目前，国家也出台了集成电路政策，并通过设立产业基金提供了慷慨的财政支持，但仅此并不意味着与国际集成电路产业水平的差距能够迅速缩小。

如何打破游戏？武汉新新的做法是在一些同行很少涉足的领域取得突破。自2012年以来，武汉新新与国际合作伙伴合作开发背光图像处理器。经过一年的研发，现已达到批量生产，月出货量达到10，000多件，目前总出货量已超过1亿件。2014年，该公司升级了这项技术，并进行了第二代技术的研发。根据上述消息来源，“新一代技术的研发进展顺利，其成果将应用于物联网市场。”

此外，自2014年起，武汉新新与赛普拉斯(原美国spansion公司)合作开发3d nand，一些核心技术武汉新新将拥有自主知识产权。

什么是3d与非门？也就是说，下一代大容量半导体闪存技术“是利用现有成熟的生产设备，在硅片表面垂直堆叠数十层甚至更多的电荷存储层，以提高单个芯片的存储密度，增加存储容量。”根据上述分析，世界上从事这项技术研究的企业只有四家，其中只有韩国三星公司真正实现了大规模生产。

在这项技术中，武汉新新的第一个9层结构的存储器测试芯片通过了存储器功能的电验证。上述分析师指出，“目前三星的3d nand产品有32层结构，正在开发64层结构的产品。武汉新新的3d nand尚未进入量产阶段，但与其他同行相比，其技术研发进展一直相对领先。”